Розділ героїв: рішення

Заголовок:

Спеціальні високочастотні-трансформатори: прецизійні магнітні рішення для SMPS

Під-заголовок:

Розроблено для ефективного перетворення електроенергії. Як надійний виробник індивідуальних трансформаторів, ми постачаємо високочастотні-трансформатори (наприклад, серії EE, PQ, RM), оптимізовані для різних комутаційних топологій, забезпечуючи високу щільність потужності та сувору відповідність вимогам безпеки.

Ключові моменти:

Універсальність топології:Експертно розроблено для Flyback, Forward, Half-Bridge іТОВ Резонанссхем, слугуючи серцевиною будь-якоїТрансформатор SMPSдизайн.

Посилена ізоляція:Має багато{0}}шарову ізоляційну систему (з використанням TIW або маржинальної стрічки), що відповідає вимогам до 3000 В змінного струму + Hi-Pot, критичним дляТрансформери на замовленняу пристроях,-підключених до мережі.

Стандартні та спеціальні ядра:Великі інструменти для стандартних форм, таких якEE42забезпечує швидке створення прототипів і економічне{0}}виробництво.

Запитайте ціну для ваших характеристик

Еталонний приклад: модель PTX00EE42-451J

Примітка. Наведені нижче характеристики наведені для нашої виробничої моделіPTX00EE42. Це демонструє наші виробничі можливості дляТрансформатори EE Core.

Параметр	Специфікація (лише для довідки)	Діапазон налаштування
Модель P/N	PTX00EE42-451J	Доступне індивідуальне призначення P/N
Категорія	Високочастотний-трансформатор	Комутаційний трансформатор / Flyback
Форма серцевини	EE42 (вертикальний 6+6 штифт)	EE, EI, PQ, EFD, ETD, RM
Розміри	43,0 x 31,0 x 45,0 мм(Макс.)	Масштабований (EE10 - EE80+)
Індуктивність (л)	450 µH ± 5%(@1 кГц/0,3 В)	10 мкГн - 10мГн(Точність ±3% / ±5%)
DCR (опір)	90 мОм Макс	Залежить від дроту/витків
Робоча частота	20 кГц - 500 кГц	Оптимізовано для комутації SiC/GaN
Ізоляція	Просочений лаком	Вакуумна імпрегнація / заливка

Інженерна думка:ThePTX00EE42використовує класичну геометрію ядра EE. Завдяки вертикальній шпульці з 12 контактами (6+6) він забезпечує широке підключення для джерел живлення з кількома-виходами. Висока точність індуктивності (±5%) забезпечує стабільну роботу в частотно-чутливих контурах керування.

Зробіть цей трансформер відповідно до ваших потреб

Ми розробляємоТрансформери на замовленнявідповідно до ваших конкретних вимог до джерела живлення.

Обмотка та безпека

● Технологія Litz Wire: For high-frequency applications (>50 кГц), ми використовуємоLitz Wireщоб мінімізувати втрати ефекту шкіри та ефекту близькості, покращуючи загальну ефективність.

● Безпека та ізоляція:Ми реалізуємоПровід з потрійною ізоляцією (TIW)або 3-шарові межі стрічки, щоб гарантувати, що трансформатор відповідає стандартам безпеки UL/VDE щодо шляху витоку та зазору.

Вибір форми сердечника

● Ядра EE / EI:Найбільш економічно{0}}ефективне та широкодоступне рішення для всіхКомутаційні трансформатори.

● Ядра PQ / RM:Найкраще дляВисока щільність потужностіконструкції. Їх кругла центральна ніжка зменшує довжину дроту (втрати міді) і магнітний витік, що робить їх ідеальними для високо-ефективних адаптерів.

● Ядра EFD / EPC:Низько{0}}варіанти тонкої електроніки, як-от світлодіодні драйвери та плоскі-дисплеї.

Галузі, які ми обслуговуємо

Типове застосування наших високочастотних-трансформаторів.

Промислова енергетика:

Джерела живлення та зарядні пристрої для DIN-рейок 24 В/48 В.

Телекомунікації та сервер:

Високо-ефективні резонансні перетворювачі LLC для центрів обробки даних.

Побутова електроніка:

Адаптери змінного-постійного струму для ноутбуків, побутової техніки та пристроїв Інтернету речей.

Нова енергія:

Допоміжні джерела живлення в сонячних інверторах і зарядних пристроях для електромобілів.

Гарантія якості та тестування

Сувора перевірка-критичних компонентів безпеки.

Перевірка коефіцієнта повороту:100% перевірено для забезпечення правильного масштабування вихідної напруги.
Фазова перевірка:Перевірено, щоб забезпечити правильну полярність для роботи Flyback/Forward.
Привіт-ізоляція горщика:Випробувано при 3000 В змінного струму - 4000В змінного струму (Pri-сек), щоб гарантувати безпеку користувача.
Індуктивність витоку:Виміряно для оптимізації конструкції демпферної схеми та ефективності.